ximia.org - сайт о химии для химиков
РАЗДЕЛЫ САЙТА
Разная химия
Неорганическая
Органическая
Биологическая
Наглядная биохимия
Токсикологическая

База знаний
Химическая энциклопедия
Справочник по веществам
Таблица Д.И. Менделеева
Гетероциклические соед.
Теплотехника
Углеводы

Партнёры по Химии
Всё об Алхимии

Химия в жизни
Каталог предприятий

Дополнительно
Лекарственные средства Фармацевтический справ.

 
Всё о Химии - Ximia.org

ИНДИЯ ФОСФИД


Алфавитный указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


ИНДИЯ ФОСФИД InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 1070°С; плотн. 4,787 г/см3; С°p 46,2 Дж/(моль.К); DH0пл 54,6 кДж/моль, DH0обр — 90,3 кДж/моль; 298 62,7 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 4,75.10-6 К-1; теплопроводность 67,2 Вт/(м.К). Полупроводник: e 12,1; ширина запрещенной зоны 1,42 эВ (0 К), 1,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,07m0, дырок mр = 0,4m0 (m0 - масса своб. электрона); подвижность электронов 5000 см2/(В.с) при 300 К и 23500 см2/(В.с) при 78 К, подвижность дырок 150 см2/(В.с) при 300 К. Устойчив на воздухе до т-ры ~ 300°С. Взаимод. со смесями к-т - HNO3 и HF, HNO3 и соляной. Для травления пов-сти кристаллов И. ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют р-ры Вr2 в метаноле, а также смеси H2SO4 с Н2О2 и Н2О. Получают И. ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление к-рых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из р-ра InP в расплаве In при 700-750 °С; осаждением из газовой фазы (пары РСl3 пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимод. с парами РСl3 или РН3 при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. мол. пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10-9 Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа - Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих св-в их легируют Fe. И. ф. - полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников.
===
Исп. литература для статьи «ИНДИЯ ФОСФИД»:
Марина Л. И., Нашельскяй А. Я., Колесник Л. И., Полупроводниковые фосфиды AIIIBV и твердые растворы на их основе, М., 1974, Мильвидский М. Г., Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986. Cм. также лит. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.

Страница «ИНДИЯ ФОСФИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

 

Всё о Химии для учителей, учеников, студентов и просто химиков