ximia.org - сайт о химии для химиков
РАЗДЕЛЫ САЙТА
Разная химия
Неорганическая
Органическая
Биологическая
Наглядная биохимия
Токсикологическая

База знаний
Химическая энциклопедия
Справочник по веществам
Таблица Д.И. Менделеева
Гетероциклические соед.
Теплотехника
Углеводы

Партнёры по химии
Всё об Алхимии

Химия в жизни
Каталог предприятий

Дополнительно
Лекарственные средства Фармацевтический справ.
 
Всё о Химии - Ximia.org

ТРАВЛЕНИЕ


Алфавитный указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


ТРАВЛЕНИЕ химическое, удаление части поверхностного слоя монокристалла, заготовки или изделия с помощью топохим. р-ций. Проводится с использованием р-ров, расплавов, газов (газовое Т.) или активир. газов (напр., плаз-мохимическое Т.). Собственно химическое Т. иногда сочетают с мех. воздействием, в качестве источника тепла и активатора при газовом Т. в ряде случаев используют лазеры.

Обработку пов-сти ионными пучками с высокой кинетич. энергией в вакууме (ионное, ионно-плазменное Т.) и частичную возгонку в вакууме (термическое Т.) обычно не относят к химическому Т.

В зависимости от морфологии получаемой пов-сти химическое Т. может быть выравнивающим (полирующим, шлифующим) и избирательным (селективным). При выравнивающем Т. происходит сглаживание рельефа пов-сти, уменьшение ее шероховатости, при избирательном Т.-увеличение неоднородности пов-сти, выявление дефектов структуры, границ двойников и доменов, растравливание трещин, царапин и т.п. Грани монокристаллов с разл. ориентацией раств. с разной скоростью. Поэтому избирательное Т. монокристаллов связано с образованием фигур (ямок) Т., форма к-рых определяется структурой кристалла, ориентацией пов-сти, видом дефектов и составом травителя, а кол-во-плотностью дефектов.

Выравнивающее Т. наблюдается обычно при протекании процесса в диффузионной области, а избирательное-в кинетич. области. Поэтому изменение т-ры, концентрации реагентов, гидродинамич. обстановки, введение добавок (в частности, ПАВ) могут изменить характер процесса, к-рый может стать комбинированным, напр.-с избират. действием в начальные периоды и выравнивающим в конце процесса. Наряду со сглаживанием рельефа пов-сти может происходить образование глубоких, иногда сквозных узких каналов.

Т. через защитные маски, нанесенные на пов-сть с помощью фотолитографии, с послед. удалением этих масок удается получать профили и детали заданных размеров. Миним. размеры профилей определяются разрешающей способностью фотолитографии, к-рая может достигать 1 мкм и менее. Главная трудность-отклонение боковых стенок вытравливаемого профиля от нормали к внеш. пов-сти-образование клина Т., растворение материала под защитной маской. Геометрия клина Т. определяется крис-таллич. структурой, ориентацией кристалла, размерами и ориентацией не защищенного маской участка пов-сти, кинетикой процесса.

Химическое Т. проводят с помощью в-в, позволяющих получать хорошо растворимые или (в случае газов) легко летучие продукты. Для Т. кремния, кварца, кварцевого стекла и силикатных стекол чаще всего используют водные р-ры на основе HF или NH4HF2, для Т. металлов-к-ты и их смеси, для плазмохимического Т. кремния и кварца-CF4, фторхлоруглероды и др. Наиб. предпочтительны р-ры, обладающие буферными св-вами.

Химическое Т. применяют в технологии монокристаллов, стекол и поликристаллов (металлов, сплавов, полупроводников и др. неорг. материалов) для очистки от окалины и др. поверхностных загрязнений, выявления дефектов структуры и двойников, определения кристаллографич. ориентации, удаления нарушенных слоев, придания пов-сти определенных св-в (полировка, шлифовка, загрубление, изменение к.-л. характеристик), для повышения мех. прочности изделий, для изготовления рельефа или деталей определенной формы, в частности в планарной технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении резонаторов, частотных фильтров, хим. сенсоров и т.п.


===
Исп. литература для статьи «ТРАВЛЕНИЕ»:
Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Амелинкс С., Методы прямого наблюдения дислокаций, пер. с англ., М., 1968; Пшеничников Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974; Хейман Р. Б., Растворение кристаллов. Теория и практика, пер. с нем., Л., 1979; Раков Э. Г., Федоров А. Е., в кн.: Итоги науки и техники, сер. Неорганическая химия, т. 15, М., 1988, с. 120-28. Э.Г. Раков.

Страница «ТРАВЛЕНИЕ» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

 

Всё о Химии для учеников, учителей, студентов и просто химиков