ximia.org - сайт о химии для химиков
РАЗДЕЛЫ САЙТА
Разная химия
Неорганическая
Органическая
Биологическая
Наглядная биохимия
Токсикологическая

База знаний
Химическая энциклопедия
Справочник по веществам
Таблица Д.И. Менделеева
Гетероциклические соед.
Теплотехника
Углеводы

Партнёры по химии
Всё об Алхимии

Химия в жизни
Каталог предприятий

Дополнительно
Лекарственные средства Фармацевтический справ.
 
Всё о Химии - Ximia.org

ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ


Алфавитный указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, получение твердых в-в р-циями с участием газообразных соединений. По механизму р-ций подразделяется на 4 вида: 1) термич. разложение или диспропорционирование газообразных соед., напр. SiH45099-1.jpgSi, ZrI45099-2.jpgZr, Ni(CO)45099-3.jpg Ni, A1F5099-4.jpg Al, MRn5099-5.jpg M, где M - металл, R - орг. радикал; 2) взаимод. двух или более газообразных в-в, напр. WF6 + Н25099-6.jpg W, SiCl4 + NH35099-7.jpgSi3N4, UF6 + Н2 + O25099-8.jpgUO2; 3) пиролиз газообразных углеводородов (отличается многостадийностью и разветвленностью); 4) взаимод. газообразных в-в с твердыми (контактное осаждение), напр.: WF6 + Si5099-9.jpgW. Наиб. многочисленны р-ции второго вида. Р-ции поглощения газообразных оксидов или галогенидов твердыми в-вами (типа СаО + СО25099-10.jpgСаСО3, NaF + HF5099-11.jpgNaHF2) не относят к хим. осаждению из газовой фазы (X. о.).
Процессы X. о. проводят при обычном или пониженном давлении. Для активирования используют один из трех осн. методов: термический, фотохим. (включая лазерный) и плазменный.
Как правило, X. о. проводят на неподвижной подложке. Однако известны конструкции аппаратов для X. о., в к-рых подложки перемещаются вдоль реакционной зоны, качаются или вращаются в ней, а также находятся во взвешенном состоянии, Это позволяет получать плоские, цилиндрич. и сферич. покрытия, ленты, конусы, нити, стержни и тела произвольной формы, а в сочетании с фотолитографией - сложные микроструктуры (см. Планарная технология). X. о. может протекать в объеме и использоваться для получения порошков (подложками служат зародыши твердых продуктов).
С помощью X. о. получают ок. 200 в-в, среди к-рых простые в-ва и неорг. соед., а также неск. орг. соединений (напр., разновидности полиэтилена), сплавы металлов, аморфные "сплавы" Si с Н, F, C1 и др.
Осн. области применения X. о.: нанесение функцией, слоев проводников, полупроводников и диэлектриков (W, Si, SiO2, Si3N4 и др.) при произ-ве электронных приборов и схем; нанесение разнообразных защитных и декоративных покрытий на детали машин и аппаратов, на инструменты, нанесение защитных и отражающих оптич. покрытий; изготовление деталей и изделий из тугоплавких в-в, напр. сопел из графита или W для ракетных двигателей; выращивание заготовок для кварцевых оптич. волокон, в т. ч. с переменным по диаметру показателем преломления; произ-во ядерного топлива (микротвэлов); произ-во объемных монокристаллов и "усов" для композиционных материалов; произ-во высокопористых ультрадисперсных порошков (напр., компонентов керамики, наполнителей, адсорбентов). X. о. может быть одной из стадий химических транспортных реакций.


===
Исп. литература для статьи «ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ»:
Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений, М., 1981; Королев Ю. М., Столяров В. И., Восстановление фторидов тугоплавких металлов водородом, М., 1981; Сыркин В. Г., Газофазная металлизация через карбонилы, М., 1984; Емяшев А. В., Газофазная металлургия тугоплавких соединений, М., 1987; Раков Э. Г., Тесленко В. В., Химия в микроэлектронике. (Химическое осаждение из газовой фазы), М., 1988; Тесл енко В. В., "Успехи химии", 1990, т. 59, в. 2, с. 177-96.

Э. Г. Раков, В. В. Тесленко.

Страница «ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

 

Всё о Химии для учеников, учителей, студентов и просто химиков