ximia.org - сайт о химии для химиков
РАЗДЕЛЫ САЙТА
Разная химия
Неорганическая
Органическая
Биологическая
Наглядная биохимия
Токсикологическая

База знаний
Химическая энциклопедия
Справочник по веществам
Таблица Д.И. Менделеева
Гетероциклические соед.
Теплотехника
Углеводы

Партнёры по Химии
Всё об Алхимии

Химия в жизни
Каталог предприятий

Дополнительно
Лекарственные средства Фармацевтический справ.

 
Всё о Химии - Ximia.org

КРЕМНИЯ ОКСИД


Алфавитный указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


КРЕМНИЯ ОКСИД SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000°С; для газа: C0p 29,901 Дж/(моль К), DH0обр - 100,000 кДж/моль, S0296 211,489 Дж/(моль.К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx-1, (плота. 2,15 г/см3) светло-коричневого цвета, реиспаряющийся в вакууме с послед. конденсацией аморфного SiOx (0<х[1), св-ва к-рого определяются условиями реиспарения. При старении и отжигах SiOx распадается на кластеры из Si и SiO2, содержащие До 1020 см-3 парамагнитных центров. К. о. не имеет определенных т-р плавления и кипения, DH0исп 240-380 кДж/моль. Оптич. св-ва SiOx зависят от скорости конденсации, остаточного давления О2 и др. факторов; коэф. поглощения 0,02 (l=700 нм)-0,20 (l=400 нм); показатель преломления в видимой области 1,5-3,8. Структура SiOx удовлетворительно описывается моделью случайного распределения тетраэдров Si-SiyO4-y =1,2,3), статистич. веса к-рых зависят от величины х. При нагр. на воздухе К. о. частично окисляется; при 500 °С взаимод. с парами воды и СО2, выделяя соотв. Н2 и СО; при 800 °С реагирует с Сl2, давая SiCl4. К. о. образуется при восстановлении SiO2 кремнием. С, Н2, углеводородами, окислении Si при недостатке О2, диссоциации SiO2 выше 1800°С. Газообразный К. о. обнаружен в газопылевых облаках межзвездных сред, на солнечных пятнах, в разреженных пламенах моносилана с О2, в продуктах взаимод. паров Si с N2O. К.о.-материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптич. слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением Si в плазме О2. Образующийся при термич. окислении Si слой (между Si и пленкой SiO2) состава SiOx (0[х[2) толщиной до 1 нм определяет электрофиз. параметры структур SiO2-Si.
===
Исп. литература для статьи «КРЕМНИЯ ОКСИД»:
Гельд П. В., Есин О. А., Процессы высокотемпературного восстановления. Свердловск. 1957; Sosman R. В., The phases of silica. New Brunswick, 1965, p. 7-10; Rockow E.G., The chemistry of silicon, Oxf.-[a.o.], 1975 (Pergamon texts hi inorganic chemistry, v. 9); Finster J, Schulze D, Meisel A, "Surface Science", 1985, v. 162, p. 671-79. В. И. Белый.

Страница «КРЕМНИЯ ОКСИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

 

Всё о Химии для учителей, учеников, студентов и просто химиков